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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SOIC-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.9 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.95 A | 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 380 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.38 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTMS5P02R2 | ONSEMI |
类似代替  |
Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTMS7N03R2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts |
|
| NTMS7N03R2_05 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts |
|
| NTMS7N03R2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts |
|
| NTMSD2P102LR2 | ONSEMI |
获取价格 |
NTMSD2P102LR2 |
|
| NTMSD2P102LR2/D | ETC |
获取价格 |
FETKY? |
|
| NTMSD2P102LR2_06 | ONSEMI |
获取价格 |
NTMSD2P102LR2 |
|
| NTMSD2P102LR2G | ONSEMI |
获取价格 |
NTMSD2P102LR2 |
|
| NTMSD3P102 | ONSEMI |
获取价格 |
Typical Uses for FETKY Devices |
|
| NTMSD3P102R2 | ONSEMI |
获取价格 |
P−Channel Enhancement−Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO−8 Pac |
|
| NTMSD3P102R2/D | ETC |
获取价格 |
FETKY? |
|
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