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NTMS4N01R2/D

更新时间： 2024-01-20 05:54:24
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其他 - ETC /
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8页 87K
描述
Power MOSFET 4.2 Amps， 20 Volts

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NTMS4N01R2/D 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, CASE 751-07, SO-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.41其他特性：AVALANCHE RATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.9 A最大漏极电流 (ID)：3.3 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：100 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.77 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

NTMS4N01R2/D 数据手册

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NTMS4N01R2  
Power MOSFET  
4.2 Amps, 20 Volts  
N–Channel Enhancement–Mode  
Single SO–8 Package  
Features  
http://onsemi.com  
• High Density Power MOSFET with Ultra Low R  
Providing  
DS(on)  
Higher Efficiency  
• Miniature SO–8 Surface Mount Package Saving Board Space;  
4.2 AMPERES  
20 VOLTS  
0.045 W @ VGS = 4.5 V  
Mounting Information for the SO–8 Package is Provided  
• I  
Specified at Elevated Temperature  
• Drain–to–Source Avalanche Energy Specified  
DSS  
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery  
Applications  
Single N–Channel  
• Power Management in Portable and Battery–Powered Products, i.e.:  
Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular & Cordless Telephones  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain–to–Source Voltage  
V
20  
20  
V
V
V
DSS  
G
Drain–to–Gate Voltage (R = 1.0 mW)  
V
DGR  
GS  
Gate–to–Source Voltage – Continuous  
V
±10  
GS  
S
Thermal Resistance –  
Junction–to–Ambient (Note 1.)  
R
P
I
I
50  
2.5  
5.9  
4.7  
25  
°C/W  
W
A
A
A
θ
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
D
Continuous Drain Current @ 25°C  
Continuous Drain Current @ 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 4.)  
D
D
8
I
DM  
Thermal Resistance –  
Junction–to–Ambient (Note 2.)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ 25°C  
Continuous Drain Current @ 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 4.)  
1
R
P
I
I
100  
1.25  
4.2  
3.3  
20  
°C/W  
W
A
A
A
θ
JA  
A
D
SO–8  
CASE 751  
STYLE 13  
D
D
I
DM  
Thermal Resistance –  
Junction–to–Ambient (Note 3.)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ 25°C  
Continuous Drain Current @ 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 4.)  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
R
P
I
I
162  
0.77  
3.3  
2.6  
15  
°C/W  
W
A
A
A
θ
JA  
A
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain  
Drain  
Drain  
Drain  
N.C.  
Source  
Source  
Gate  
D
I
DM  
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
–55 to  
+150  
°C  
stg  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
169  
mJ  
AS  
Energy – Starting T = 25°C  
J
Top View  
(V = 20 Vdc, V = 5.0 Vdc, Peak I  
L
DD  
GS  
= 7.5 Apk, L = 6 mH, R = 25 Ω)  
E4N01 = Device Code  
G
L
Y
WW  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
1. Mounted onto a 2″ square FR–4 Board (1″ sq. 2 oz Cu 0.06″ thick single  
sided), t ≤ 10 seconds.  
2. Mounted onto a 2″ square FR–4 Board (1″ sq. 2 oz Cu 0.06″ thick single  
sided), t = steady state.  
3. Minimum FR–4 or G–10 PCB, t = Steady State.  
4. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2%.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
NTMS4N01R2  
Package  
Shipping  
2500/Tape & Reel  
SO–8  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
February, 2001 – Rev. 2  
NTMS4N01R2/D  
12345678

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与NTMS4N01R2/D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMS4N01R2G ONSEMI

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 		Power MOSFET 4.2 Amps, 20 Volts N−Channel Enhancement−Mode Single SO−8 P
NTMS4P01R2 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 2.32A I(D) | SO
NTMS4P01R2/D ETC

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 		Power MOSFET -4.5 Amps， -12 Volts
NTMS4P01R2G ONSEMI

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 		3400mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 751-07, SO-8
NTMS5835NL ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 m These Devices are Pb?Free, Halogen Free/
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