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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 400 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTMS5835NL | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 m These Devices are Pb?Free, Halogen Free/ |
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| NTMS5835NLR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 m These Devices are Pb?Free, Halogen Free/ |
|
| NTMS5838NL | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 40 V, 7.5 A, 25 m These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR |
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| NTMS5838NLR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 40 V, 7.5 A, 25 m These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR |
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| NTMS5P02R2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts |
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| NTMS5P02R2/D | ETC |
获取价格 |
Power MOSFET -5.4 Amps， -20 Volts |
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| NTMS5P02R2_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts |
|
| NTMS5P02R2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts |
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| NTMS7N03R2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts |
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| NTMS7N03R2_05 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts |
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