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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTMD6P02R2G
NTMD6P02R2G PDF预览

NTMD6P02R2G

更新时间： 2024-01-24 21:36:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 124K
描述
Power MOSFET 6 A, 20 V, P−Channel SOIC−8, Dual

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NTMD6P02R2G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A
最大漏极电流 (ID)：4.8 A最大漏源导通电阻：0.033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：450 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTMD6P02R2G 数据手册

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NTMD6P02, NVMD6P02  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)*  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
(V = 0 Vdc, I = −250 mAdc)  
V
Vdc  
mV/°C  
mAdc  
(BR)DSS  
−20  
−
−
−
GS  
D
−
−11.6  
Temperature Coefficient (Positive)  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
DSS  
(V = −20 Vdc, V = 0 Vdc, T = 25°C)  
−
−
−
−
−1.0  
−5.0  
DS  
GS  
J
(V = −20 Vdc, V = 0 Vdc, T = 70°C)  
DS  
GS  
J
Gate−Body Leakage Current  
(V = −12 Vdc, V = 0 Vdc)  
I
I
nAdc  
nAdc  
GSS  
−
−
−
−
−100  
GS  
DS  
Gate−Body Leakage Current  
(V = +12 Vdc, V = 0 Vdc)  
GSS  
100  
GS  
DS  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
V
Vdc  
mV/°C  
W
GS(th)  
(V = V , I = −250 mAdc)  
−0.6  
−0.88  
−1.20  
DS  
GS  
D
−
2.6  
−
Temperature Coefficient (Negative)  
Static Drain−to−Source On−State Resistance  
R
DS(on)  
(V = −4.5 Vdc, I = −6.2 Adc)  
−
−
−
0.027  
0.038  
0.038  
0.033  
0.050  
−
GS  
D
(V = −2.5 Vdc, I = −5.0 Adc)  
GS  
D
(V = −2.5 Vdc, I = −3.1 Adc)  
GS  
D
Forward Transconductance (V = −10 Vdc, I = −6.2 Adc)  
g
FS  
−
15  
−
Mhos  
pF  
DS  
D
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
C
−
−
−
1380  
515  
1700  
775  
iss  
(V = −16 Vdc, V = 0 Vdc,  
DS  
GS  
Output Capacitance  
C
oss  
f = 1.0 MHz)  
Reverse Transfer Capacitance  
C
250  
450  
rss  
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 5 and 6)  
Turn−On Delay Time  
t
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
15  
20  
85  
50  
17  
65  
50  
80  
20  
4.0  
8.0  
25  
50  
125  
110  
−
ns  
ns  
d(on)  
(V = −10 Vdc, I = −1.0 Adc,  
DD  
Rise Time  
t
r
D
V
= −10 Vdc,  
G
GS  
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
t
t
t
R
= 6.0 W)  
d(off)  
t
f
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
d(on)  
(V = −16 Vdc, I = −6.2 Adc,  
t
r
−
DD  
D
V
= −4.5 Vdc,  
GS  
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
−
R
= 6.0 W)  
d(off)  
G
t
f
−
Total Gate Charge  
Gate−Source Charge  
Gate−Drain Charge  
Q
35  
−
nC  
tot  
gs  
gd  
(V = −16 Vdc,  
DS  
V
= −4.5 Vdc,  
Q
Q
GS  
I
D
= −6.2 Adc)  
−
BODY−DRAIN DIODE RATINGS (Note 5)  
Diode Forward On−Voltage  
(I = −1.7 Adc, V = 0 Vdc)  
V
V
−
−
−0.80  
−0.65  
−1.2  
Vdc  
Vdc  
ns  
S
GS  
SD  
(I = −1.7 Adc, V = 0 Vdc, T = 125°C)  
−
S
GS  
J
Diode Forward On−Voltage  
(I = −6.2 Adc, V = 0 Vdc)  
−
−
−0.95  
−0.80  
−
−
S
GS  
SD  
(I = −6.2 Adc, V = 0 Vdc, T = 125°C)  
S
GS  
J
Reverse Recovery Time  
t
−
−
−
−
50  
20  
80  
−
rr  
(I = −1.7 Adc, V = 0 Vdc,  
S
GS  
t
a
dI /dt = 100 A/ms)  
S
t
30  
−
r
Reverse Recovery Stored Charge  
Q
0.04  
−
mC  
RR  
5. Indicates Pulse Test: Pulse Width = 300 ms max, Duty Cycle = 2%.  
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.  
*Handling precautions to protect against electrostatic discharge are mandatory.  
http://onsemi.com  
2
 
123456

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