5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 5.72 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.71 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSS30100LT1G | ONSEMI |
类似代替  |
30 V, 2 A, Low Vce(sat) PNP Transistor |
|
| MMBT589LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl |
|
| FMMT589TA | DIODES |
功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.001A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVMMBT6429LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 |
|
| NSVMMBT6517LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
高压 NPN 双极晶体管 |
|
| NSVMMBT6520L | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| NSVMMBT6520LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| NSVMMBTA05LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极晶体管 |
|
| NSVMMBTA28LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 达林顿晶体管 |
|
| NSVMMBTH10L | ONSEMI |
获取价格 |
VHF/UHF Transistor |
|
| NSVMMBTH10LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
VHF/UHF Transistor |
|
| NSVMMBTH81LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor |
|
| NSVMMBTH81LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
