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NLV14070BDR2G

更新时间： 2024-11-24 01:16:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅光电二极管逻辑集成电路石英晶振触发器
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
Quad Exclusive "OR" and "NOR" Gates

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NLV14070BDR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.72系列：4000/14000/40000
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e3
长度：8.65 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：XOR GATE湿度敏感等级：1
功能数量：4输入次数：2
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5/15 VProp。Delay @ Nom-Sup：350 ns
传播延迟（tpd）：350 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.75 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：18 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

NLV14070BDR2G 数据手册

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MC14070B, MC14077B  
CMOS SSI  
Quad Exclusive “OR” and “NOR” Gates  
The MC14070B quad exclusive OR gate and the MC14077B quad  
exclusive NOR gate are constructed with MOS P−channel and  
N−channel enhancement mode devices in a single monolithic  
structure. These complementary MOS logic gates find primary use  
where low power dissipation and/or high noise immunity is desired.  
http://onsemi.com  
Features  
SOIC−14  
D SUFFIX  
CASE 751A  
• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc  
• All Outputs Buffered  
• Capable of Driving Two Low−Power TTL Loads or One  
Low−Power Schottky TTL Load Over the Rated Temperature  
Range  
PIN ASSIGNMENT  
• Double Diode Protection on All Inputs  
IN 1  
IN 2  
1
2
3
4
5
6
14  
13  
12  
11  
10  
9
V
DD  
A
• MC14070B − Replacement for CD4030B and CD4070B Types  
• MC14077B − Replacement for CD4077B Type  
IN 2  
IN 1  
A
D
D
OUT  
A
• NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100  
Qualified and PPAP Capable  
OUT  
IN 1  
IN 2  
OUT  
OUT  
B
D
C
B
B
IN 2  
C
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
SS  
7
8
IN 1  
C
MAXIMUM RATINGS (Voltages Referenced to V  
)
SS  
Symbol  
Parameter  
Value  
−0.5 to +18.0  
Unit  
V
MARKING DIAGRAM  
V
DD  
DC Supply Voltage Range  
V , V  
in out  
Input or Output Voltage Range  
(DC or Transient)  
−0.5 to V + 0.5  
V
14  
DD  
140xxBG  
I , I  
Input or Output Current  
(DC or Transient) per Pin  
10  
mA  
AWLYWW  
in out  
1
P
D
Power Dissipation, per Package  
(Note 1)  
500  
mW  
xx  
A
WL, L  
YY, Y  
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
T
A
Ambient Temperature Range  
Storage Temperature Range  
−55 to +125  
−65 to +150  
260  
°C  
°C  
°C  
T
stg  
= Year  
WW, W = Work Week  
= Pb−Free Package  
T
L
Lead Temperature  
(8−Second Soldering)  
G
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Temperature Derating: “D/DW” Packages: –7.0 mW/_C From 65_C To 125_C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high  
static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid  
applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this  
high−impedance circuit. For proper operation, V and V should be constrained  
in  
out  
to the range V ≤ (V or V ) ≤ V .  
SS  
in  
out  
DD  
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level  
(e.g., either V or V ). Unused outputs must be left open.  
SS  
DD  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
August, 2014 − Rev. 10  
MC14070B/D  
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NLV14071BDG ONSEMI

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