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NLV14069UBDG

更新时间： 2024-11-24 01:11:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
6页 115K
描述
Hex Inverter

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NLV14069UBDG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SOP, SOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.69系列：4000/14000/40000
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e3
长度：8.65 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：INVERTER湿度敏感等级：1
功能数量：6输入次数：1
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TUBE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5/15 VProp。Delay @ Nom-Sup：125 ns
传播延迟（tpd）：125 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.75 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：18 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

NLV14069UBDG 数据手册

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MC14069UB  
Hex Inverter  
The MC14069UB hex inverter is constructed with MOS P−channel  
and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic  
structure. These inverters find primary use where low power  
dissipation and/or high noise immunity is desired. Each of the six  
inverters is a single stage to minimize propagation delays.  
http://onsemi.com  
Features  
• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc  
• Capable of Driving Two Low−Power TTL Loads or One  
Low−Power Schottky TTL Load Over the Rated Temperature  
Range  
SOIC−14  
D SUFFIX  
CASE 751A  
SOEIAJ−14  
F SUFFIX  
CASE 965  
TSSOP−14  
DT SUFFIX  
CASE 948G  
• Triple Diode Protection on All Inputs  
• Pin−for−Pin Replacement for CD4069UB  
• Meets JEDEC UB Specifications  
PIN ASSIGNMENT  
• NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100  
Qualified and PPAP Capable  
1
2
3
4
5
6
7
IN 1  
14  
13  
V
DD  
IN 6  
OUT 1  
IN 2  
12 OUT 6  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
11  
10  
9
IN 5  
OUT 2  
IN 3  
MAXIMUM RATINGS (Voltages Referenced to V  
)
OUT 5  
IN 4  
SS  
OUT 3  
Symbol  
Parameter  
Value  
−0.5 to +18.0  
Unit  
V
V
SS  
8
OUT 4  
V
DD  
DC Supply Voltage Range  
V , V  
in out  
Input or Output Voltage Range  
(DC or Transient)  
−0.5 to V + 0.5  
V
DD  
MARKING DIAGRAMS  
I , I  
Input or Output Current  
(DC or Transient) per Pin  
10  
mA  
in out  
14  
14  
1
P
D
Power Dissipation, per Package  
(Note 1)  
500  
mW  
14069UG  
AWLYWW  
MC14069UB  
ALYWG  
T
A
Ambient Temperature Range  
Storage Temperature Range  
−55 to +125  
−65 to +150  
260  
°C  
°C  
°C  
1
T
stg  
SOIC−14  
SOEIAJ−14  
T
L
Lead Temperature  
(8−Second Soldering)  
14  
1
14  
069U  
ALYWG  
G
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Temperature Derating: “D/DW” Packages: –7.0 mW/_C From 65_C To 125_C  
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high  
static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid  
applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this  
TSSOP−14  
A
WL, L  
YY, Y  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
high−impedance circuit. For proper operation, V and V should be constrained  
in  
out  
to the range V ≤ (V or V ) ≤ V .  
SS  
in  
out  
DD  
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level  
(e.g., either V or V ). Unused outputs must be left open.  
WW, W = Work Week  
SS  
DD  
G or G  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
August, 2014 − Rev. 11  
MC14069UB/D  
 
123456

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与NLV14069UBDG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NLV14069UBDR2G ONSEMI

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 		Hex Inverter
NLV14069UBDTR2G ONSEMI

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 		Hex Inverter
NLV14070BDR2G ONSEMI

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 		Quad Exclusive "OR" and "NOR" Gates
NLV14071BDG ONSEMI

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 		B-Suffix Series CMOS Gates
NLV14071BDR2G ONSEMI

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 		B-Suffix Series CMOS Gates
NLV14071BDTR2G ONSEMI

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