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NJVMJB41CT4G

更新时间： 2024-09-19 01:17:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 131K
描述
Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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NJVMJB41CT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3/2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：2.07外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：65 W
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

NJVMJB41CT4G 数据手册

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MJB41C,  
NJVMJB41CT4G (NPN),  
MJB42C,  
NJVMJB42CT4G (PNP)  
Complementary Silicon  
Plastic Power Transistors  
D2PAK for Surface Mount  
Features  
http://onsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
6 AMPERES,  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
• Electrically the Same as TIP41 and T1P42 Series  
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
• Pb−Free Packages are Available  
100 VOLTS, 65 WATTS  
MARKING  
DIAGRAM  
2
D PAK  
J4xCG  
AYWW  
CASE 418B  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
100  
100  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
J4xC = Specific Device Code  
x = 1 or 2  
V
CB  
EB  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
V
WW = Work Week  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
I
C
6.0  
10  
G
= Pb−Free Package  
Base Current  
I
B
2.0  
Adc  
ORDERING INFORMATION  
Total Power Dissipation  
P
D
†
Device  
Package  
Shipping  
@ T = 25_C  
C
65  
0.52  
W
W/_C  
Derate above 25_C  
2
MJB41CG  
D PAK  
50 Units / Rail  
(Pb−Free)  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25_C  
A
2.0  
W
2
MJB41CT4G  
NJVMJB41CT4G  
MJB42CG  
D PAK  
800 / Tape &  
Reel  
Derate above 25_C  
0.016  
W/_C  
mJ  
(Pb−Free)  
Unclamped Inductive Load Energy (Note 1)  
E
62.5  
2
D PAK  
800 / Tape &  
Reel  
(Pb−Free)  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
_C  
J
stg  
2
D PAK  
50 Units / Rail  
(Pb−Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
2
MJB42CT4G  
NJVMJB42CT4G  
D PAK  
800 / Tape &  
Reel  
Symbol  
Max  
1.92  
62.5  
Unit  
_C/W  
_C/W  
(Pb−Free)  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JC  
2
D PAK  
800 / Tape &  
Reel  
Thermal Resistance,  
R
q
JA  
(Pb−Free)  
Junction−to−Ambient  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Thermal Resistance,  
R
50  
_C/W  
_C  
q
JA  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
260  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. I = 2.5 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V = 10 V, R = 100 W  
C
CC  
BE  
2. When surface mounted to an FR−4 board using the minimum recommended  
pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 4  
MJB41C/D  
 
123456

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