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NJVMJD41CT4G-VF01

更新时间： 2024-09-13 15:46:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 134K
描述
TRANS NPN 100V 6A DPAK-4

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NJVMJD41CT4G-VF01 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：DPAK-3/2
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：1.78
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

NJVMJD41CT4G-VF01 数据手册

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MJD41Cꢀ(NPN),  
MJD42Cꢀ(PNP)  
Complementary Power  
Transistors  
DPAK for Surface Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching  
applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
6 AMPERES  
Features  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
100 VOLTS, 20 WATTS  
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)  
• Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
COMPLEMENTARY  
COLLECTOR  
2, 4  
COLLECTOR  
2, 4  
1
1
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
BASE  
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
3
3
EMITTER  
EMITTER  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
Base Current  
Symbol  
Max  
100  
100  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Adc  
V
CEO  
4
V
CB  
V
EB  
4
I
C
6
1
2
3
1
2
I
10  
2
CM  
3
I
B
DPAK  
IPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
CASE 369D  
STYLE 1  
Total Power Dissipation  
P
P
W
W/°C  
D
20  
0.16  
@ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAMS  
Total Power Dissipation (Note 1)  
W
W/°C  
°C  
D
1.75  
0.014  
@ T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +150  
AYWW  
J4xCG  
AYWW  
J4xCG  
stg  
ESD − Human Body Model  
ESD − Machine Model  
HBM  
MM  
3B  
C
V
V
DPAK  
IPAK  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
J4xC = Device Code  
x = 1 or 2  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
August, 2013 − Rev. 12  
MJD41C/D  
 
1234567

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NJVMJD41CT4G-VF01 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD41CTF ONSEMI

完全替代

 NPN外延硅晶体管
MJD41CT4G ONSEMI

完全替代

 Complementary Power Transistors
MJD41CRLG ONSEMI

完全替代

 Complementary Power Transistors

与NJVMJD41CT4G-VF01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NJVMJD42CRLG ONSEMI

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 		Complementary Power Transistors
NJVMJD42CT4G ONSEMI

获取价格

 		Complementary Power Transistors
NJVMJD42CT4G-VF01 ONSEMI

获取价格

 		TRANS PNP 100V 6A DPAK-4
NJVMJD44E3T4G ONSEMI

获取价格

 		10 A，80 V，NPN 达林顿双极功率晶体管
NJVMJD44H11D3T4G ONSEMI

获取价格

 		8 A，80 V，NPN 双极功率晶体管
NJVMJD44H11G ONSEMI

获取价格

 		Complementary Power Transistors
NJVMJD44H11RLG ONSEMI

获取价格

 		Complementary Power Transistors
NJVMJD44H11RLG-VF01 ONSEMI

获取价格

 		8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor, 1800-REEL
NJVMJD44H11T4G ONSEMI

获取价格

 		Complementary Power Transistors
NJVMJD44H11T4G-VF01 ONSEMI

获取价格

 		8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor, 2500-REEL

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