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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> NJVBUB323ZT4G
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NJVBUB323ZT4G

更新时间： 2024-09-19 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 91K
描述
NPN 达林顿双极功率晶体管

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NJVBUB323ZT4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.7Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：500JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：150 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzBase Number Matches：1

NJVBUB323ZT4G 数据手册

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BUB323Z  
NPN Silicon Power  
Darlington  
High Voltage Autoprotected  
D2PAK for Surface Mount  
http://onsemi.com  
The BUB323Z is a planar, monolithic, high−voltage power  
Darlington with a built−in active zener clamping circuit. This device is  
specifically designed for unclamped, inductive applications such as  
Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control.  
AUTOPROTECTED  
DARLINGTON  
10 AMPERES  
360−450 VOLTS CLAMP  
150 WATTS  
Features  
• Integrated High−Voltage Active Clamp  
• Tight Clamping Voltage Window (350 V to 450 V) Guaranteed  
Over the −40°C to +125°C Temperature Range  
• Clamping Energy Capability 100% Tested in a Live  
Ignition Circuit  
360 V  
CLAMP  
• High DC Current Gain/Low Saturation Voltages  
Specified Over Full Temperature Range  
• Design Guarantees Operation in SOA at All Times  
• Pb−Free Packages are Available  
MAXIMUM RATINGS  
MARKING  
DIAGRAM  
Rating  
Symbol  
Value  
350  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector−Emitter Sustaining Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
EBO  
V
6.0  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
I
10  
20  
C
BUB323ZG  
AYWW  
I
I
CM  
Base Current  
− Continuous  
− Peak  
I
3.0  
6.0  
Adc  
B
2
D PAK  
BM  
CASE 418B  
STYLE 1  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25_C  
150  
1.0  
C
W
Derate above 25_C  
W/_C  
_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to  
+175  
J
stg  
BUB323Z = Specific Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Symbol  
Max  
1.0  
Unit  
_C/W  
_C/W  
_C  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JC  
R
62.5  
260  
q
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
JA  
L
Maximum Lead Temperature  
for Soldering Purposes,  
T
1/8 in from Case for 5 Seconds  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 1  
BUB323Z/D  
12345678

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