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NGTB15N120LWG

更新时间： 2024-09-15 12:22:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 176K
描述
Incorporated into the device is a rugged co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

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NGTB15N120LWG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.78
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：30 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：229 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：435 ns标称接通时间 (ton)：91 ns
Base Number Matches：1

NGTB15N120LWG 数据手册

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NGTB15N120LWG  
IGBT  
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and  
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides  
superior performance in demanding switching applications, offering  
both low on−state voltage and minimal switching loss. The IGBT is  
well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated  
into the device is a rugged co−packaged free wheeling diode with a  
low forward voltage.  
http://onsemi.com  
15 A, 1200 V  
Features  
V
CEsat = 1.8 V  
• Low Saturation Voltage using Trench with Fieldstop Technology  
• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation  
• Low Gate Charge  
Eoff = 0.56 mJ  
C
• 5 ms Short−Circuit Capability  
• These are Pb−Free Devices  
Typical Applications  
• Inverter Welding Machines  
• Microwave Ovens  
• Industrial Switching  
• Motor Control Inverter  
G
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector−emitter voltage  
V
CES  
1200  
G
TO−247  
CASE 340L  
STYLE 4  
Collector current  
@ TC = 25°C  
I
C
A
C
E
30  
15  
@ TC = 100°C  
Pulsed collector current, T  
I
120  
A
A
pulse  
CM  
limited by T  
Jmax  
MARKING DIAGRAM  
Diode forward current  
@ TC = 25°C  
I
F
30  
15  
@ TC = 100°C  
Diode pulsed current, T  
limited  
I
100  
A
pulse  
FM  
by T  
Jmax  
15N120L  
AYWWG  
Gate−emitter voltage  
V
$20  
V
GE  
Power Dissipation  
P
W
D
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
156  
62.5  
Short−Circuit Withstand Time  
= 15 V, V = 600 V, T ≤ 150°C  
T
5
ms  
°C  
sc  
V
GE  
CE  
J
Operating junction temperature  
range  
T
−55 to +150  
J
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Storage temperature range  
T
−55 to +150  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature for soldering, 1/8”  
from case for 5 seconds  
T
SLD  
260  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Device  
NGTB15N120LWG  
Package  
Shipping  
TO−247 30 Units / Rail  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
August, 2012 − Rev. 2  
NGTB15N120L/D  
1234567...9

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 		Incorporated into the device is a rugged coâˆ
NGTB20N120IHRWG ONSEMI

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 		IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode
NGTB20N120IHSWG ONSEMI

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 		IGBT
NGTB20N120IHWG ONSEMI

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NGTB20N120LWG ONSEMI

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NGTB20N135IHRWG ONSEMI

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 		IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode

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