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NGTB25N120FL2WG

更新时间： 2024-09-14 01:19:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 150K
描述
IGBT - Field Stop II

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NGTB25N120FL2WG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：31 weeks风险等级：2.07
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-609代码：e3
最高工作温度：175 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：385 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NGTB25N120FL2WG 数据手册

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NGTB25N120FL2WG  
IGBT - Field Stop II  
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and  
cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior  
performance in demanding switching applications, offering both low  
on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited  
for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft  
and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.  
www.onsemi.com  
Features  
25 A, 1200 V  
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology  
VCEsat = 2.0 V  
• T  
= 175°C  
Jmax  
• Soft Fast Reverse Recovery Diode  
• Optimized for High Speed Switching  
• 10 ms Short Circuit Capability  
• These are Pb−Free Devices  
Eoff = 0.60 mJ  
C
Typical Applications  
• Solar Inverter  
• Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)  
• Welding  
G
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
VCES  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector−emitter voltage  
1200  
Collector current  
@ TC = 25°C  
A
50  
25  
G
TO−247  
CASE 340AL  
@ TC = 100°C  
C
E
Pulsed collector current, T  
ICM  
IF  
100  
A
A
pulse  
limited by T  
Jmax  
Diode forward current  
@ TC = 25°C  
50  
25  
MARKING DIAGRAM  
@ TC = 100°C  
Diode pulsed current, T  
limited  
IFM  
100  
A
V
pulse  
by T  
Jmax  
Gate−emitter voltage  
Transient gate−emitter voltage  
(T = 5 ms, D < 0.10)  
VGE  
$20  
30  
pulse  
25N120FL2  
AYWWG  
Power Dissipation  
PD  
W
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
385  
192  
Short Circuit Withstand Time  
T
10  
ms  
°C  
SC  
V
GE  
= 15 V, V = 500 V, T ≤ 150°C  
CE J  
Operating junction temperature  
range  
T
−55 to +175  
J
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Storage temperature range  
T
−55 to +175  
260  
°C  
°C  
stg  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Lead temperature for soldering, 1/8”  
from case for 5 seconds  
T
SLD  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
NGTB25N120FL2WG  
Package  
Shipping  
TO−247 30 Units / Rail  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
December, 2016 − Rev. 2  
NGTB25N120FL2W/D  
1234567...10

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