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NGTB20N60L2TF1G

更新时间： 2024-09-14 11:15:11

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安森美 - ONSEMI		开关双极性晶体管二极管
页数	文件大小	规格书
7页	513K
描述
IGBT，N 沟道 600V，20A，VCE（sat）； 1.45V TO-3PF-3L，带低 VF 开关二极管

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NGTB20N60L2TF1G 数据手册

NGTB20N60L2TF1G

N-Channel IGBT

www.onsemi.cn

600V, 20A, V (sat);1.45V TO-3PF-3L

V 开关二极管内置

低

主要特长

 IGBT V (sat)=1.45V typ. (I =20A, V =15V)

 适应全绝缘型封装

 增强型 (Enhancement type)

 最高结温 Tj=175C

CE GE

 IGBT t =67ns typ.

 Diode V =1.5V typ. (I =20A)

 Diode t =70ns typ.

应用

 白物家电的功率因数校正

 通用变频器 (General purpose inverter)

规格

绝对最大额定值 / Ta = 25C (除非特殊指定)

参数

记号

CES

GES

条件

额定值

单位

集电极-发射极电压(Collector to Emitter Voltage)

栅极-发射极电压(Gate to Emitter Voltage)

600

20

@ Tc=25C *2

@ Tc=100C *2

集电极电流(Collector Current) (DC)

I *1

Limited by Tjmax

集电极电流(Collector Current) (脉冲)

二极管平均输出电流(Diode Average Output Current

允许功耗(Allowable Power Dissipation)

结温(Junction Temperature)

Pulse width Limited by Tjmax

Tc=25C (我司的理想散热条件) *2

C

175

储存温度(Storage Temperature)

Tstg

55 to +175

注 : *1 集电极电流由下式计算:

Tjmax - Tc

I (Tc)=

R (j-c)×

(sat)(Tjmax, I (Tc))

*2 我司的条件为背面散热。方法为:器件的背面涂上硅脂, 然后将该器件贴在铝制的水冷散热器上。

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed,

damage may occur and reliability may be affected.

订单及封装情况

器件名称

出货包装

封装

注解

无铅

TO-3PF-3L

SC-94

NGTB20N60L2TF1G

pcs. / tube

印刷图

电气连接

GTB20N

LOT No.

60L2

September 2015 - Rev. 0

Publication Order Number :

NGTB20N60L2TF1GCN/D

12 3 4 5 6 7

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