Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE8500100-RG-A

NE8500100-RG-A

更新时间： 2024-09-14 13:00:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管开关
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4页	63K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE

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NE8500100-RG-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DIE	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	10 V	最大漏极电流 (ID)：	1.12 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-XUUC-N	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE8500100-RG-A 数据手册

NE8500100

NE8500199

C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

FEATURES

(TC = 25 °C unless otherwise noted)

• HIGH OUTPUT POWER: 1 W

• HIGH LINEAR GAIN: 9.0 dB

SYMBOLS

VDS

PARAMETERS

Drain to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

UNITS

RATINGS

-18

• HIGH EFFICIENCY: 37% (PAE)

• INDUSTRY STANDARD PACKAGING

VGD

VGS

-12

IDS

IDSS

6.0

• THIS DEVICE IS ALSO AVAILABLE AS A

TWO-CELL CHIP: NE8500100

IGS

Gate Current

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

6.0

TCH

°C

175

DESCRIPTION

TSTG

-65 to +175

Note:

TheNE8500199isamediumpowerGaAsMESFETdesigned

for up to a 1W output stage or as a driver for higher power

devices. The device has no internal matching and can be

used at frequencies from UHF to 8.5 GHZ. The device is

availableinthe“99”packageorinchipform. Thechipisatwo-

cell die; bonding both cells delivers the rated performance.

1. Operation in excess of any one of these parameters may result in

permanent damage.

RECOMMENDED OPERATING LIMITS

SYMBOLS

PARAMETERS

Drain to Source Voltage

Channel Temperature

Gain Compression

Gate Resistance

UNITS MIN TYP MAX

The NE850 Series Transistors are manufactured to NEC's

stringent quality assurance standards to ensure highest reli-

ability and consistent superior performance.

VDS

130

3.0

TCH

°C

KΩ

GCOMP

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C)

PART NUMBER

NE8500199

NE8500100

PACKAGE OUTLINE

00 (Chip), 99

SYMBOLS

CHARACTERISTICS

UNITS

MIN

TYP

MAX

TEST CONDITIONS

POUT

Power Out at Fixed Input Power

dBm

28.5

29.5

PIN = 21.0 dBm

ηADD

IDS

Linear Gain

9.0

f = 7.2 GHz

VDS = 10 V; IDSQ = 200 mA

RG = 1KΩ

Collector Efficiency

Drain Source Current

Saturated Drain Current

Pinch-off Voltage

Transconductance

Thermal Resistance

200

IDSS

330

-3.0

825

-1.0

VDS = 2.5 V; VGS = 0 V

VDS = 2.5 V; IDS = 4 mA

VDS = 2.5 V; IDS = IDSS

Channel to Case

°C/W

300

RTH

California Eastern Laboratories

12 3 4

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NE8500100-WB-A	NEC	获取价格	暂无描述
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