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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE8500100-RG-A
NE8500100-RG-A PDF预览

NE8500100-RG-A

更新时间： 2024-11-20 13:00:15
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 63K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE

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NE8500100-RG-A 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
包装说明：DIEReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：10 V最大漏极电流 (ID)：1.12 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-XUUC-N湿度敏感等级：1
元件数量：1工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NE8500100-RG-A 数据手册

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NE8500100  
NE8500199  
C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1  
FEATURES  
(TC = 25 °C unless otherwise noted)  
• HIGH OUTPUT POWER: 1 W  
• HIGH LINEAR GAIN: 9.0 dB  
SYMBOLS  
VDS  
PARAMETERS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Drain Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
UNITS  
V
RATINGS  
15  
-18  
• HIGH EFFICIENCY: 37% (PAE)  
• INDUSTRY STANDARD PACKAGING  
VGD  
V
VGS  
V
-12  
IDS  
A
IDSS  
6.0  
• THIS DEVICE IS ALSO AVAILABLE AS A  
TWO-CELL CHIP: NE8500100  
IGS  
Gate Current  
mA  
W
PT  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
6.0  
TCH  
°C  
°C  
175  
DESCRIPTION  
TSTG  
-65 to +175  
Note:  
TheNE8500199isamediumpowerGaAsMESFETdesigned  
for up to a 1W output stage or as a driver for higher power  
devices. The device has no internal matching and can be  
used at frequencies from UHF to 8.5 GHZ. The device is  
availableinthe“99”packageorinchipform. Thechipisatwo-  
cell die; bonding both cells delivers the rated performance.  
1. Operation in excess of any one of these parameters may result in  
permanent damage.  
RECOMMENDED OPERATING LIMITS  
SYMBOLS  
PARAMETERS  
Drain to Source Voltage  
Channel Temperature  
Gain Compression  
Gate Resistance  
UNITS MIN TYP MAX  
The NE850 Series Transistors are manufactured to NEC's  
stringent quality assurance standards to ensure highest reli-  
ability and consistent superior performance.  
VDS  
V
9
10  
130  
3.0  
4
TCH  
°C  
dB  
KΩ  
GCOMP  
RG  
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C)  
PART NUMBER  
NE8500199  
NE8500100  
PACKAGE OUTLINE  
00 (Chip), 99  
SYMBOLS  
CHARACTERISTICS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
TEST CONDITIONS  
POUT  
Power Out at Fixed Input Power  
dBm  
dB  
28.5  
29.5  
PIN = 21.0 dBm  
GL  
ηADD  
IDS  
Linear Gain  
9.0  
37  
f = 7.2 GHz  
VDS = 10 V; IDSQ = 200 mA  
RG = 1KΩ  
Collector Efficiency  
Drain Source Current  
Saturated Drain Current  
Pinch-off Voltage  
Transconductance  
Thermal Resistance  
%
mA  
mA  
V
200  
IDSS  
VP  
330  
-3.0  
825  
-1.0  
VDS = 2.5 V; VGS = 0 V  
VDS = 2.5 V; IDS = 4 mA  
VDS = 2.5 V; IDS = IDSS  
Channel to Case  
gm  
mS  
°C/W  
300  
RTH  
60  
California Eastern Laboratories  
1234

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