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NE851M13-T3-A

更新时间： 2024-09-15 19:35:23

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
21页	441K
描述
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3

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技术参数
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NE851M13-T3-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	5.5 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.14 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz
Base Number Matches：	1

NE851M13-T3-A 数据手册

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NE851M13 / 2SC5801

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE

3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

• Low phase distortion, low voltage operation

• Ideal for OSC applications

• 3-pin lead-less minimold package

ORDERING INFORMATION

Part Number

NE851M13-A

Quantity

Supplying Form

• 8 mm wide embossed taping

50 pcs (Non reel)

2SC5801-A

NE851M13-T3-A

2SC5801-T3-A

10 kpcs/reel

• Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Ratings

9.0

Unit

5.5

1.5

100

C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

140

150

Tstg

65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm² 1.0 mm (t) glass epoxy PCB

Caution: Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge

Document No. PU10085EJ02V0DS (2nd edition)

Date Published March 2002 CP(K)

The mark  shows major revised points.

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE851M13-T3-A-FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3
NE851M33	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE851M33-A	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE851M33-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINI
NE851M33-T3	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,5.5V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
NE851M33-T3-A	CEL	获取价格	NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE851M33-T3FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINI
NE851M33-T3FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINI
NE856	NEC	获取价格	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE856	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR