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NE8500200-RG-A

更新时间： 2024-11-20 19:46:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	41K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE

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NE8500200-RG-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-XUUC-N
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE8500200-RG-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

GaAs MES FET

NE85002 SERIES

2 W C-BAND POWER GaAs FET

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W

partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network.

NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device

has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

PHYSICAL DIMENSIONS

FEATURES

100

240

NE8500200 (CHIP) (unit: µm)

•

Class A operation

High power output

High reliability

110

100

640

100

1800

100

SELECTION CHART

PACKAGE CODE-95 (unit: mm)

PERFORMANCE SPECIFIED

0.7 ±0.1

Pout (**)

(dBm)

G^L(**)

USABLE

4.0 MIN.

PART NUMBER

2.5 ±0.3 DIA

SOURCE

(dB)

FREQUENCY

(GHz)

GATE

NE8500200(*)

33.8 min

8.0 min

2.0 to 10

5.9 ±0.2

NE8500200-WB(*)

NE8500200-RG(*)

NE8500295-4

NE8500295-6

NE8500295-8

33.8 min

33.5 min

10.5 min

9.5 min

8.0 min

3.5 to 5.5

5.5 to 7.5

7.5 to 8.5

DRAIN

14.0 ±0.3

18.5 MAX.

0.1

GB, RG indicate a type of containers for chips.

WB: black carrier, RG: ring,

2.1 ±0.15

4.5 MAX.

** Specified at the condition at the last page.

7.2 ±0.2

1.0

0.2 MAX.

Document No. P10969EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE8500200-WB	NEC	获取价格	2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500200-WB-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE8500295-4	NEC	获取价格	2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500295-4-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE8500295-6	NEC	获取价格	2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500295-6-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE8500295-8	NEC	获取价格	2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500295-8-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE850R599	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE850R599A	NEC	获取价格	C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

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