NE851M13

更新时间： 2024-09-14 21:55:11

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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NE851M13

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NE851M13 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	M13, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	0.8 pF	集电极-发射极最大电压：	5.5 V
配置：	SINGLE	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz
Base Number Matches：	1

NE851M13 数据手册

NONLINEAR MODEL

NE851M13

CCBPKG

0.05 pF

SCHEMATIC

CCB

0.01 pF

LCPKG

0.05 nH

LBPKG

0.05 nH

Collector

0.25 nH

CCE

Base

0.25 pF

CCEPKG

0.05 pF

0.45 nH

LEPKG

0.05 nH

Emitter

BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS⁽¹⁾

ADDITIONAL PARAMETERS

Parameters

CCB

NE851M13

Parameters

0.01 pF

0.25 pF

0.25 nH

0.45 nH

0.05 pF

0.05 nH

137e-18

166

MJC

XCJC

CJS

VJS

MJS

0.14

0.5

CCE

0.9871

20.4

CCBPKG

CCEPKG

LBX

VAF

IKF

ISE

0.75

80.4e-15

2.4

0.55

15e-12

0.1

LCX

LEX

28.7

XTF

VTF

ITF

0.9889

2.7

MODEL TEST CONDITIONS

Frequency: 0.1 to 5.0 GHz

VAR

IKR

ISC

0.03

Bias:

Date:

VCE = 1 V to 4 V, IC = 1 mA to 40 mA

09/2001

0.021

532e-18

1.28

PTF

1.0e-9

1.11

0.45

XTB

XTI

RBM

IRB

170e-15

1.65

1.7

CJE

VJE

MJE

CJC

VJC

2.4e-12

0.87

0.34

0.65e-12

0.52

(1) Gummel-Poon Model

California Eastern Laboratories

EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR NEC RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS

CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES • Headquarters • 4590 Patrick Henry Drive • Santa Clara, CA 95054-1817 • (408) 988-3500 • Telex 34-6393 • FAX (408) 988-0279

Internet: http://WWW.CEL.COM

11/29/2001

DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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