NE8500295-4

更新时间： 2024-11-19 22:29:07

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日电电子 - NEC		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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描述
2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE8500295-4 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE8500295-4 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

GaAs MES FET

NE85002 SERIES

2 W C-BAND POWER GaAs FET

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W

partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network.

NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device

has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

PHYSICAL DIMENSIONS

FEATURES

100

240

NE8500200 (CHIP) (unit: µm)

•

Class A operation

High power output

High reliability

110

100

640

100

1800

100

SELECTION CHART

PACKAGE CODE-95 (unit: mm)

PERFORMANCE SPECIFIED

0.7 ±0.1

Pout (**)

(dBm)

G^L(**)

USABLE

4.0 MIN.

PART NUMBER

2.5 ±0.3 DIA

SOURCE

(dB)

FREQUENCY

(GHz)

GATE

NE8500200(*)

33.8 min

8.0 min

2.0 to 10

5.9 ±0.2

NE8500200-WB(*)

NE8500200-RG(*)

NE8500295-4

NE8500295-6

NE8500295-8

33.8 min

33.5 min

10.5 min

9.5 min

8.0 min

3.5 to 5.5

5.5 to 7.5

7.5 to 8.5

DRAIN

14.0 ±0.3

18.5 MAX.

0.1

GB, RG indicate a type of containers for chips.

WB: black carrier, RG: ring,

2.1 ±0.15

4.5 MAX.

** Specified at the condition at the last page.

7.2 ±0.2

1.0

0.2 MAX.

Document No. P10969EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7 8

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