是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 99, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 15 V |
最大漏极电流 (ID): | 1.12 A | FET 技术: | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带: | C BAND | JESD-30 代码: | R-CDFM-F2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE8500199-A | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M | |
NE85002 | NEC |
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2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET | |
NE85002_02 | NEC |
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2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET | |
NE8500200 | NEC |
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2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET | |
NE8500200-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se | |
NE8500200-RG | NEC |
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2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET | |
NE8500200-RG-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se | |
NE8500200-WB | NEC |
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2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET | |
NE8500200-WB-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se | |
NE8500295-4 | NEC |
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2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |