Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE8500100-RG

NE8500100-RG

更新时间： 2024-11-23 22:29:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管放大器
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6页	43K
描述
1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE8500100-RG 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (ID)：	1.12 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE8500100-RG 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

GaAs MES FET

NE85001 SERIES

1 W C-BAND POWER GaAs FET

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator

applications and so on.

NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device

has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

PHYSICAL DIMENSIONS

146

FEATURES

170

NE8500100 (CHIP) (unit: µm)

•

Class A operation

High power output

High reliability

640

SELECTION CHART

100

PERFORMANCE SPECIFIED

Pout (**)

G^L(**)

USABLE

PART NUMBER

FORM

chip

100

(dBm)

(dB)

FREQUENCY

(GHz)

780

NE8500100(*)

NE8500100-WB

NE8500100-RG

28.5 min

9.0 typ

2.0 to 10

PACKAGE CODE-99 (unit: mm)

NE8500199

package

28.5 min

2.0 to 10

1.0 ±0.1

4.0 MIN BOTH LEADS

SOURCE

WB, RG indicate a type of containers for chips.

WB: black carrier, RG: ring,: gel-pack,

GATE

2.2 ±0.3

2 PLACES

** Specified at the condition at the last page.

4.3 ±0.2

4.0

DRAIN

0.6 ±0.1

5.2 ±0.3

11.0 ±0.3

15.0 ±0.3

0.1

0.2 MAX.

5.0 MAX.

1.7 ±0.15

6.0 ±0.2

1.2

Document No. P10968EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE8500100-RG-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE8500100-WB	NEC	获取价格	1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500100-WB-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE8500199	NEC	获取价格	1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500199-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
NE85002	NEC	获取价格	2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE85002_02	NEC	获取价格	2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET
NE8500200	NEC	获取价格	2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500200-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE8500200-RG	NEC	获取价格	2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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