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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SSOP |
| 包装说明： | LSSOP, | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.66 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 6.575 mm |
| 负电源额定电压： | -9 V | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | LSSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.5 mm | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BICMOS | 电信集成电路类型： | ETHERNET TRANSCEIVER |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 4.4 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE85001 | NEC |
获取价格 |
1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE8500100 | NEC |
获取价格 |
1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE8500100_00 | NEC |
获取价格 |
C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE8500100-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| NE8500100-RG | NEC |
获取价格 |
1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE8500100-RG-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| NE8500100-WB | NEC |
获取价格 |
1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE8500100-WB-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| NE8500199 | NEC |
获取价格 |
1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
|
| NE8500199-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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