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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDT014_NL
NDT014_NL PDF预览

NDT014_NL

更新时间： 2024-01-19 08:20:37
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDT014_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A最大漏极电流 (ID)：2.8 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDT014_NL 数据手册

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September 1996  
NDT014  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as DC motor control  
and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power  
loss, and resistance to transients are needed.  
2.7A, 60V. RDS(ON) = 0.2W @ VGS = 10V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
_________________________________________________________________________________________________________  
D
D
D
S
G
S
G
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT014  
60  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
±20  
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
±2.7  
±10  
3
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDT014 Rev. C1  
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NDT014J23Z FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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NDT014L FAIRCHILD N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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