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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-261 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NDT014LD84Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDT014LJ23Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDT014LJ23ZD84Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDT014LL84Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDT014LS62Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| NDT014S62Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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