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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT014L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| NDT014LD84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDT014LJ23Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDT014LJ23ZD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDT014LL84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDT014LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| NDT014S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| NDT01N60 | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 |
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| NDT01N60T1G | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET 600V 0.4A 8.5 Ω 单 N 沟道 SOT-223 |
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| NDT02N40T1G | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，400V，0.4A，5.5Ω，单 N 沟道，SOT-223 |
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