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NDT014LJ23Z

更新时间： 2024-11-16 20:42:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDT014LJ23Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDT014LJ23Z 数据手册

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August 1996  
NDT014L  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
2.8 A, 60 V. RDS(ON) = 0.2 W @ VGS = 4.5 V  
These N-Channel logic level enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology.This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state resistance,  
provide superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation  
modes.Thesedevices are particularly suited for low voltage  
applications such as DC motor control and DC/DC  
conversion where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
RDS(ON) = 0.16 W @ VGS = 10 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
_________________________________________________________________________________  
D
D
S
G
D
S
G
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT014L  
60  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
± 20  
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
± 2.8  
± 10  
Maximum Power Dissipation  
3
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDT014L Rev.D  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDT014LJ23ZD84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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