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NDT014J23Z

更新时间： 2024-09-28 20:03:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	77K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NDT014J23Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A	最大漏极电流 (ID)：	2.7 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDT014J23Z 数据手册

September 1996

NDT014

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance and provide

superior switching performance. These devices are particularly

suited for low voltage applications such as DC motor control

and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power

loss, and resistance to transients are needed.

2.7A, 60V. R_DS(ON)= 0.2W @ V_GS= 10V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

_________________________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT014

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

±20

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

±2.7

±10

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT014 Rev. C1

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT014L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT014L	ONSEMI	获取价格	N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，60V，2.8A，160mΩ
NDT014L/D84Z	TI	获取价格	暂无描述
NDT014L/L99Z	TI	获取价格	2.6A, 60V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT014L/S62Z	TI	获取价格	2.6A, 60V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT014L_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDT014L84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDT014L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.2ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
NDT014LD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDT014LJ23Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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