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NDP605A

更新时间: 2024-09-20 20:50:51
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德州仪器 - TI /
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1页 71K
描述
48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

NDP605A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):48 A最大漏极电流 (ID):48 A
最大漏源导通电阻:0.025 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NDP605A 数据手册

  

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