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NDP605AEL

更新时间: 2024-09-20 18:18:47
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美国国家半导体 - NSC 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 103K
描述
TRANSISTOR 48 A, 50 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

NDP605AEL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TO-220, 3 PINReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (Abs) (ID):48 A
最大漏极电流 (ID):48 A最大漏源导通电阻:0.025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NDP605AEL 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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