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NDP606B

更新时间: 2024-11-20 22:40:35
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美国国家半导体 - NSC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 188K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor

NDP606B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.78Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):42 A最大漏极电流 (ID):42 A
最大漏源导通电阻:0.028 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):400 pFJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W最大脉冲漏极电流 (IDM):126 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):210 ns
最大开启时间(吨):320 nsBase Number Matches:1

NDP606B 数据手册

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