5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 64 A | 最大漏极电流 (ID)： | 64 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 130 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 130 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 190 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 230 ns | 最大开启时间（吨）： | 230 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP7051/J69Z | TI |
获取价格 |
64A, 50V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP7051J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 50V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDP7051L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDP7051L/J69Z | TI |
获取价格 |
68A, 50V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP7051LJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 50V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NDP7051LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 50V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NDP7052 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDP7052/J69Z | TI |
获取价格 |
75A, 50V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP7052J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 50V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDP7052L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
