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NDP7052

更新时间： 2024-11-07 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP7052 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：550 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：225 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDP7052 数据手册

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June 1997  
NDP7052 / NDB7052  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
75 A, 50 V. RDS(ON) = 0.01 W @ VGS= 10 V.  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process has  
been especially tailored to minimize on-state resistance,  
provide superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation modes.  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as automotive, DC/DC converters, PWM  
motor controls, and other battery powered circuits where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to transients  
are needed.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole  
and surface mount applications.  
________________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDP7052  
NDB7052  
Units  
V
VDSS  
VDGR  
Drain-Source Voltage  
50  
50  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
±40  
V
VGSS  
- Nonrepetitive (tP < 50 µs)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
ID  
75  
A
225  
150  
W
W/°C  
°C  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1
°C/W  
°C/W  
Rq JA  
62.5  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP7052 Rev.B1  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP7052/J69Z TI

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 		75A, 50V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP7052J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 50V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDP7052L FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7052L TI

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 		75A, 50V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
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