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NDP7061

更新时间： 2024-11-07 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 360K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP7061 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：64 A最大漏极电流 (ID)：64 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：130 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：190 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDP7061 数据手册

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May 1996  
NDP7061 / NDB7061  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high energy  
pulses in the avalanche and commutation modes. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as automotive, DC/DC converters, PWM motor controls, and  
other battery powered circuits where fast switching, low in-line  
power loss, and resistance to transients are needed.  
64A, 60V. RDS(ON) = 0.016W @ VGS=10V.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole  
and surface mount applications.  
.
________________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TC = 25°C unless otherwise noted  
NDP7061  
NDB7061  
Units  
V
VDSS  
VDGR  
Drain-Source Voltage  
60  
60  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 20  
V
VGSS  
- Nonrepetitive (tP < 50 µs)  
Drain Current - Continuous  
± 40  
64  
A
ID  
- Pulsed  
190  
130  
W
W/°C  
°C  
PD  
Maximum Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
0.87  
-65 to 175  
275  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
°C  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP7061 Rev. C / NDB7061 Rev. D  
1234567...12

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与NDP7061相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP7061L FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7061L TI

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 		60A, 60V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP7061L/J69Z TI

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 		60A, 60V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP7061LJ69Z FAIRCHILD

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NDP7061LS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		75A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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 		75A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
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 		TRANSISTOR 75 A, 60 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET
NDP706B NSC

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 		TRANSISTOR 70 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp

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