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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP708AEL | TI |
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60A, 80V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP708AES62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP708B | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDP708B | TI |
获取价格 |
52A, 80V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP708BE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDP708BE | TI |
获取价格 |
52A, 80V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP708BEL | TI |
获取价格 |
52A, 80V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP708BES62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 80V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDP710A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP710AE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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