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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 800 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 225 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 550 ns | 最大开启时间（吨）： | 640 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP7060LJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDP7060LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDP7060S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP7061 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDP7061L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP7061L | TI |
获取价格 |
60A, 60V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP7061L/J69Z | TI |
获取价格 |
60A, 60V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP7061LJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDP7061LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDP7061S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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