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NDP608AE

更新时间： 2024-11-20 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 76K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP608AE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDP608AE 数据手册

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May 1994  
NDP608A / NDP608AE / NDP608B / NDP608BE  
NDB608A / NDB608AE / NDB608B / NDB608BE  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process has been especially  
tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation  
modes. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as automotive, DC/DC  
converters, PWM motor controls, and other battery  
powered circuits where fast switching, low in-line  
power loss, and resistance to transients are needed.  
36 and 32A, 80V. RDS(ON) = 0.042and 0.045W.  
Critical DC electrical parameters specified at  
elevated temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate  
the need for an external Zener diode transient  
suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design (3 million/in²) for extremely  
low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both  
through hole and surface mount applications.  
_____________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
TC = 25°C unless otherwise noted  
NDP608A NDP608AE  
NDB608A NDB608AE  
NDP608B NDP608BE  
NDB608B NDB608BE  
Symbol Parameter  
Units  
V
VDSS  
VDGR  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
80  
80  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
±40  
V
V
- Nonrepetitive (tP < 50 ms)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
ID  
36  
32  
A
144  
128  
A
PD  
100  
W
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
0.67  
W/°C  
°C  
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
275  
TL  
Maximum lead temperature for soldering  
purposes, 1/8" from case for 5 seconds  
°C  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP608.SAM  
123456

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与NDP608AE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP608AEL TI

获取价格

 		36A, 80V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP608AL TI

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 		36A, 80V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP608B FAIRCHILD

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608BE FAIRCHILD

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608BES62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 80V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP608BS62Z FAIRCHILD

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP610AEL TI

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 		26A, 100V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP610AES62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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