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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 32 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 128 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP608BS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 80V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP610A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP610AE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP610AEL | TI |
获取价格 |
26A, 100V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP610AES62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| NDP610AL | TI |
获取价格 |
26A, 100V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP610AS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| NDP610B | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP610BE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP610BEL | TI |
获取价格 |
24A, 100V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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