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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 48 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 400 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 144 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 400 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 530 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP6060L_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP6060LJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP6060LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP6060S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP606A | NSC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
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| NDP606AL | TI |
获取价格 |
TRANSISTOR 48 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
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| NDP606B | NSC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
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| NDP606B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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| NDP606BE | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 42 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| NDP606BEL | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 42 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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