NDP6060L_NL

更新时间： 2024-11-25 13:11:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	361K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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NDP6060L_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	48 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDP6060L_NL 数据手册

March 1996

NDP6060 / NDB6060

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

48A, 60V. R_DS(ON)= 0.025W @ V_GS=10V.

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. This very high density

process has been especially tailored to minimize on-state

resistance, provide superior switching performance, and

withstand high energy pulses in the avalanche and

commutation modes. These devices are particularly suited

for low voltage applications such as automotive, DC/DC

converters, PWM motor controls, and other battery

powered circuits where fast switching, low in-line power

loss, and resistance to transients are needed.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

Rugged internal source-drain diode can eliminate the need

for an external Zener diode transient suppressor.

175°C maximum junction temperature rating.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

TO-220 and TO-263 (D²PAK) package for both through hole

and surface mount applications.

________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

T_C= 25°C unless otherwise noted

NDP6060

NDB6060

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_DGR

Drain-Gate Voltage (R_GS< 1 MW)

V_GSS

Gate-Source Voltage - Continuous

± 20

± 40

- Nonrepetitive (t_P< 50 µs)

Drain Current - Continuous

T_c=25^oC

T_C=100^oC

I_D

- Continuous

- Pulsed

144

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

100

0.67

W/°C

°C

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 175

275

T_J,T_STG

T_L

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

°C

NDP6060 Rev. B1 / NDB6060 Rev. C

12 3 4 5 6 7...12

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与NDP6060L_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDP6060LJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6060LS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6060S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP606A	NSC	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP606AL	TI	获取价格	TRANSISTOR 48 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
NDP606B	NSC	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP606B	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
NDP606BE	NSC	获取价格	TRANSISTOR 42 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET
NDP606BEL	NSC	获取价格	TRANSISTOR 42 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET
NDP606BEL	TI	获取价格	42A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

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