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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 42 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP605BEL | NSC |
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暂无描述 |
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| NDP605BEL | TI |
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42A, 50V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP605BL | NSC |
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TRANSISTOR 42 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| NDP605BL | TI |
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42A, 50V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP6060 | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP6060 | ONSEMI |
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N 沟道增强型场效应晶体管 60V，48A，25mΩ |
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| NDP6060/J69Z | TI |
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48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP6060_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP6060L | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP6060L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 60V，48A，25mΩ |
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