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NDP6020P

更新时间： 2024-09-19 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
6页 65K
描述
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP6020P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：975622Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO?220?3LD-ASamacsys Released Date：2019-11-02 16:53:15
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDP6020P 数据手册

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September 1997  
NDP6020P / NDB6020P  
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
-24 A, -20 V. RDS(ON) = 0.05 W @ VGS= -4.5 V.  
These logic level P-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process has been especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance, and  
withstand high energy pulses in the avalanche and  
commutation modes. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as automotive, DC/DC  
converters, PWM motor controls, and other battery powered  
circuits where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
RDS(ON) = 0.07W @ VGS= -2.7 V.  
RDS(ON) = 0.075 W @ VGS= -2.5 V.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through  
hole and surface mount applications.  
________________________________________________________________________________  
S
G
D
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDP6020P  
NDB6020P  
Units  
Drain-Source Voltage  
-20  
±8  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-24  
-70  
60  
W
W/°C  
°C  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
0.4  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
TJ,TSTG  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP6020P Rev.C1  
123456

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与NDP6020P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP6020P_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDP6020PJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDP6020PS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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NDP6030PLS62Z FAIRCHILD

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