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NDP6030PL

更新时间： 2024-09-19 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP6030PL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDP6030PL 数据手册

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June 1997  
NDP6030PL / NDB6030PL  
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These P-Channel logic level enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state resistance.  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as DC/DC converters and high efficiency  
switching circuits where fast switching, low in-line power loss,  
and resistance to transients are needed.  
-30 A, -30 V. RDS(ON) = 0.042 W @ VGS= -4.5 V  
RDS(ON) = 0.025 W @ VGS= -10 V.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
175°C maximum junction temperature rating.  
________________________________________________________________________________  
S
G
D
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TC = 25°C unless otherwise noted  
NDP6030PL  
NDB6030PL  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-30  
±16  
-30  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
-90  
75  
W
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
0.5  
-65 to 175  
275  
Operating and Storage Temperature Range  
°C  
°C  
TJ,TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2
°C/W  
°C/W  
RqJC  
RqJA  
62.5  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP6030PL Rev.B1  
1234

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NDP6030PL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDB6030PL FAIRCHILD

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