NDP603AL

更新时间： 2024-09-19 22:40:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP603AL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDP603AL 数据手册

January 1996

NDP603AL / NDB603AL

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This

very high density process is especially tailored to

25A, 30V. R_DS(ON)= 0.022W @ V_GS=10V.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

minimize on-state resistance.

These devices are

Rugged internal source-drain diode can eliminate the need

for an external Zener diode transient suppressor.

particularly suited for low voltage applications such as

DC/DC converters and high efficiency switching circuits

where fast switching, low in-line power loss, and

resistance to transients are needed.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

175°C maximum junction temperature rating.

______________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

T_C= 25°C unless otherwise noted

NDP603AL

NDB603AL

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

± 20

V_DSS

V_GSS

I_D

25 (Note 1)

100

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

W/°C

°C

0.4

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 175

275

T_J,T_STG

T_L

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

2.5

°C/W

62.5

NDP603AL.SAM

12 3 4 5

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NDP603AL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDP603AL_NL	FAIRCHILD	功能相似	暂无描述

与NDP603AL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDP603AL/J69Z	TI	获取价格	25A, 30V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP603AL_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
NDP603ALJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP603ALS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6050	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6050L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050L	TI	获取价格	48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6050L/J69Z	TI	获取价格	48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6050LS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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