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NDP6050

更新时间： 2024-09-19 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 69K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP6050 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A最大漏极电流 (ID)：48 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDP6050 数据手册

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March 1996  
NDP6050 / NDB6050  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
48A, 50V. RDS(ON) = 0.025W @ VGS=10V.  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process has  
been especially tailored to minimize on-state resistance,  
provide superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation modes.  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as automotive, DC/DC converters, PWM  
motor controls, and other battery powered circuits where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to transients  
are needed.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for  
an external Zener diode transient suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole  
and surface mount applications.  
________________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TC = 25°C unless otherwise noted  
NDP6050  
NDB6050  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
50  
50  
VDSS  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 20  
± 40  
48  
V
VGSS  
- Nonrepetitive (tP < 50 µs)  
Drain Current - Continuous  
A
ID  
- Pulsed  
144  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
100  
0.67  
W
W/°C  
°C  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
275  
TJ,TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
°C  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP6050 Rev. A1 / NDB6050 Rev. B  
123456

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与NDP6050相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP6050J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6050L FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050L TI

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 		48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6050L/J69Z TI

获取价格

 		48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6050LS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6051 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051 TI

获取价格

 		48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6051/J69Z TI

获取价格

 		48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6051L TI

获取价格

 		48A, 50V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6051L FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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