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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 48 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 144 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 205 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 270 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP6051L | TI |
获取价格 |
48A, 50V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP6051L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP6051LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP6051S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP605A | NSC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
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| NDP605A | TI |
获取价格 |
48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP605A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 50V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| NDP605AE | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 48 A, 50 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
|
| NDP605AE | TI |
获取价格 |
48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP605AEL | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 48 A, 50 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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