5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDP6050L
NDP6050L PDF预览

NDP6050L

更新时间： 2024-09-19 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 69K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

NDP6050L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A最大漏极电流 (ID)：48 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDP6050L 数据手册

 浏览型号NDP6050L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDP6050L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDP6050L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDP6050L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDP6050L的Datasheet PDF文件第6页 
April 1996  
NDP6050L / NDB6050L  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These logic level N-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process has been especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance, and  
withstand high energy pulses in the avalanche and  
commutation modes. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as automotive, DC/DC  
converters, PWM motor controls, and other battery powered  
circuits where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
48A, 50V. RDS(ON) = 0.025W @ VGS = 5V.  
Low drive requirements allowing operation directly from logic  
drivers. VGS(TH) < 2.0V.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need  
for an external Zener diode transient suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole  
and surface mount applications.  
_______________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TC = 25°C unless otherwise noted  
NDP6050L  
NDB6050L  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
50  
50  
VDSS  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
VGSS  
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 16  
± 25  
48  
V
- Nonrepetitive (tP < 50 µs)  
Drain Current - Continuous  
A
ID  
- Pulsed  
144  
100  
W
W/°C  
°C  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
0.67  
-65 to 175  
275  
Operating and Storage Temperature  
TJ,TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering  
purposes, 1/8" from case for 5 seconds  
°C  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP6050L Rev. C / NDB6050L Rev. D  
123456

中文翻译

下载PDF

与NDP6050L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP6050L/J69Z TI

获取价格

 		48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6050LS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6051 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051 TI

获取价格

 		48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6051/J69Z TI

获取价格

 		48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6051L TI

获取价格

 		48A, 50V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6051L FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6051LS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6051S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP605A NSC

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor

与NDP6050L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证