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NDP6050L/J69Z

更新时间: 2024-09-20 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 163K
描述
48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

NDP6050L/J69Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.72其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):200 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (ID):48 A
最大漏源导通电阻:0.025 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):400 pFJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):144 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):400 ns
最大开启时间(吨):530 nsBase Number Matches:1

NDP6050L/J69Z 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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NDP6051 FAIRCHILD

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051 TI

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48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6051/J69Z TI

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48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6051L TI

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48A, 50V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP6051S62Z FAIRCHILD

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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP605A NSC

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N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605A TI

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