NDP6030L

更新时间： 2024-09-19 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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12页	358K
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDP6030L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A	最大漏极电流 (ID)：	52 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	156 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDP6030L 数据手册

June 1996

NDP6030L / NDB6030L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. These devices are particularly suited

for low voltage applications such as DC/DC converters

and high efficiency switching circuits where fast

switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

52 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.0135 W @ V_GS=10 V

R_DS(ON)= 0.020 W @ V_GS=4.5 V.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

Rugged internal source-drain diode can eliminate the need

for an external Zener diode transient suppressor.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

175°C maximum junction temperature rating.

_______________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

T_C= 25°C unless otherwise noted

NDP6030L

NDB6030L

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

± 16

V_DSS

V_GSS

I_D

156

W/°C

°C

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.5

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 175

275

T_J,T_STG

T_L

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

NDP6030L Rev.E

12 3 4 5 6 7...12

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与NDP6030L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDP6030L/J69Z	TI	获取价格	52A, 30V, 0.0135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6030PL	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030PL	ONSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
NDP6030PLJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDP6030PLS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDP6030S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDP603AL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP603AL/J69Z	TI	获取价格	25A, 30V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP603AL_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
NDP603ALJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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