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NDP6020P

更新时间： 2024-09-21 11:11:55

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安森美 - ONSEMI		局域网 PC 开关脉冲晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	228K
描述
P 沟道，逻辑电平增强型场效应晶体管，-20V，-24A，50mΩ

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NDP6020P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.95
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	975622	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	TO?220?3LD-A	Samacsys Released Date：	2019-11-02 16:53:15
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A	最大漏极电流 (ID)：	24 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDP6020P 数据手册

NDP6020P / NDB6020P

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-24 A, -20 V. R_DS(ON)= 0.05 W @ V_GS= -4.5 V.

R_DS(ON)= 0.07W @ V_GS= -2.7 V.

These logic level P-Channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using ON Semiconductor's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulses in

the avalanche and commutation modes. These devices

are particularly suited for low voltage applications such

as automotive, DC/DC converters, PWM motor controls,

and other battery powered circuits where fast switching,

low in-line power loss, and resistance to transients are

needed.

R_DS(ON)= 0.075 W @ V_GS= -2.5 V.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

Rugged internal source-drain diode can eliminate the need

for an external Zener diode transient suppressor.

175°C maximum junction temperature rating.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

TO-220 and TO-263 (D²PAK) package for both through

hole and surface mount applications.

________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDP6020P

NDB6020P

Units

Drain-Source Voltage

-20

±8

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-24

-70

W/°C

°C

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.4

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 175

T_J,T_STG

September-2017, Rev. 3

Publication Order Number:

NDP6020P/D

12 3 4 5 6 7

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与NDP6020P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDP6020P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDP6020PJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDP6020PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDP6030	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030L/J69Z	TI	获取价格	52A, 30V, 0.0135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
NDP6030PL	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030PL	ONSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
NDP6030PLJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
NDP6030PLS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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