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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP510BES62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP510BL | NSC |
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TRANSISTOR 13 A, 100 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| NDP510BL | TI |
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13A, 100V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP510BS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDP6020 | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP6020P | FAIRCHILD |
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P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP6020P | ONSEMI |
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P 沟道，逻辑电平增强型场效应晶体管，-20V，-24A，50mΩ |
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| NDP6020P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDP6020PJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDP6020PS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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