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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19 A | 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP508AES62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NDP508AS62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NDP508B | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP508BE | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP508BEL | TI |
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17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP508BES62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NDP508BL | NSC |
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TRANSISTOR 17 A, 80 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET G |
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| NDP508BL | TI |
获取价格 |
17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP508BS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDP510A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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